聚积型金氧半场效电晶体

摘要

本发明之主要课题系提供MOSFET之OFF时(0V)和ON时(电源电压)中之汲极电流之比大,且ON时之电流驱动能力也大的聚积型金氧半场效电晶体(Accumulation Mode MOSFET)。上述课题系藉由在聚积型金属半场效电晶体中,于源极区域部设置隧道电子释放部和热电子释放部。