3D阵列的大马士革导体;DAMASCENE CONDUCTOR FOR 3D ARRAY

摘要

于一些三维堆叠的记忆体装置中,记忆体单元的位元线或字元线是堆叠在往第一方向延伸之似间隔开的隆起部的结构中。于此结构中,互补的字元线或位元线的构造可包括位在间隔开的隆起部之间大高宽比之沟槽的大马士革特征(damascene features),沟槽的大马士革特征是沿第二方向延伸,第二方向例如是垂直于第一方向。大马士革导体可利用双图案化的遮罩来蚀刻次微影(sub-lithographic)的牺牲线,形成填充物于牺牲线上,并然后移除牺牲线来留下填充物中作为大马士革模型的沟槽来形成。然后,利用导体材料填充沟槽。于此例中,记忆体单元是沉积在位元线或字元线之堆叠与跨过堆叠的字元线或位元线之间的交错点处,而形成3D记忆体阵列。于一方向,技术包括3D记忆体,其包括介电电荷捕捉记忆体单元、电荷捕捉层、与高介电常数的阻挡介电层,其中介电电荷捕捉记忆体单元具有能隙设计的穿隧层,且其中导体材料包括高功函数材料。