半导体装置的制造方法、离子束蚀刻装置及控制装置;MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, ION BEAM ETCHING APPARATUS, AND CONTROLLING APPARATUS

摘要

在CMP工程后的基板面内是存在膜厚分布。此膜厚分布是例如成为金属闸极的闸极临界値电压的偏差,元件特性的偏差的原因。本发明是以简便地改善此CMP工程后的膜厚分布为目的。在CMP工程后利用离子束蚀刻方法来补正基板(111)面内的膜厚分布。具体而言是使进行离子束蚀刻时的电浆产生室(102)内的电浆密度在与基板(111)面内的中心部对向的位置及在与外周部对向的位置有所不同,藉此使基板面(111)内的中心部与外周部的蚀刻速率不同。