3D NAND记忆体的阵列配置;ARRAY ARRANGEMENT FOR 3D NAND MEMORY

摘要

一种半导体装置包含多个主动位元条状物,在该多个主动位元条状物中,一端处连接耦合到一接垫,在另一端处藉由一导线而相连。该装置包含多个记忆体胞元相交于多个主动位元条状物与多个字元线上。该装置包含多个位元串选择结构,该多个位元串选择结构指位于该多个主动位元条状物的多个侧闸极而这些侧闸极被配置成一交错状。该装置包含控制电路,该控制电路被配置以藉由施加一接通电压到两个相邻且交错的位元串选择结构而接通一特定主动位元条状物,并且该控制电路被配置以藉由施加一关断偏压到至少一个相邻且交错的位元串选择结构而关断第二个主动位元条状物。该关断偏压施加到该至少一相邻且交错位元串选择结构可以是一接地电压、一非负电压、一浮动状态。