记忆体阵列中之电阻式记忆体单元的形成方法、记忆体单元装置及电阻式开关记忆体阵列;METHOD OF FORMING RESISTIVE MEMORY CELL WITHIN MEMORY CELL, MEMORY CELL DEVICE AND RESISTIVE SWITCHING MEMORY ARRAY

摘要

本发明揭露一种记忆体阵列中之电阻式记忆体单元的形成方法,包括于形成于一基板上的一第一金属层上形成一图案化的停止层及于图案化的停止层的特征图样内形成一下电极。此方法更包括形成一电阻式记忆体层。电阻式记忆体层包括一金属氧化物层及一上电极层。此方法更包括将电阻式记忆体层图案化,以使得上电极层作为记忆体阵列中的一位元线及电阻式记忆体单元的一上电极。