半导体装置之制造方法;METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明提供一种利用整合晶圆接合与互补式金属氧化物半导体制程制造积体装置之方法。在一实施例中,揭露一制造方法,包括:利用一具有一或多个主动装置之前段基板及一具有复数个形成于一介电材料中之金属层中之连接之后段基板定义一积体电路功能结构,其中后段基板不具有任何主动装置;在一第一半导体制程中制造前段基板;基本上,同时在一第二半导体制程中制造后段基板;物理接触前段基板及后段基板之接合表面;以及实施晶圆接合步骤,以在前段基板及后段基板之间形成接合,藉以形成一积体电路。此外,本发明亦揭露其他制造方法。