| 发明名称 | 第III族氮化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种第III族氮化物半导体器件，其在第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧与电极之间具有良好的欧姆接触，并能够在较低电压下工作。所述第III族氮化物半导体器件(100)特征在于：在所述第III族氮化物半导体层110的(000-1)面侧的规定区域120内具有多个圆顶状圆形凸部124；和在所述规定区域120的上表面上具有电极128。 | ||
| 申请公布号 | CN104040736A | 申请公布日期 | 2014.09.10 |
| 申请号 | CN201280065179.8 | 申请日期 | 2012.12.12 |
| 申请人 | 同和电子科技有限公司 | 发明人 | 门胁嘉孝;丰田达宪 |
| 分类号 | H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种具有第III族氮化物半导体层的第III族氮化物半导体器件，其包含：在所述第III族氮化物半导体层的(000‑1)面侧的规定区域内的多个圆顶状圆形凸部；和在所述规定区域的上表面上的电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||