半导体元件及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一晶体管，晶体管包括一基底、设置于基底中的第一和第二阱，其中第一和第二阱掺杂不同型态的掺杂物。晶体管包括至少部分设置于第一阱上方的第一栅极、设置于第二阱上方的第二栅极、及分别设置于第一和第二阱中的源极区和漏极区，源极区和漏极区掺杂相同型态的掺杂物。本发明使用虚设栅极放宽现今技术严格的迭对需求，并不需要额外成本。

主权项

一种半导体元件，包括一晶体管，该晶体管包括：一基底；一第一阱和一第二阱，设置于该基底中，该第一和第二阱具有相反的掺杂极性；一第一栅极和一第二栅极，分别设置于该第一阱和该第二阱上方，该第一和第二栅极以一间隔分开，其中该第二栅极是虚设栅极；及一源极区和一漏极区，分别设置于该第一和第二阱中，该源极区和漏极区具有相同的掺杂极性；其中该第一栅极设置于该源极区和该间隔之间，其中该第二栅极设置于该漏极区和该间隔之间，其中该第一阱和第二阱藉由部分该基底彼此分隔，其中该第一栅电极包括一第一型态的功函数金属，该第二栅电极包括一与该第一型态相反的第二型态的功函数金属，且其中该晶体管还包括一设置于该第二栅极下的空乏区。