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FORNO E MÉTODO PARA PROCESSAMENTO DE LÂMINAS DE SILÍCIO. A presente invenção faz referência a um forno e um método para difusão de dopantes ou para oxidação em lâminas de silício ou outro material semicondutor. O referido forno é um equipamento com câmara de processamento de quartzo ou SiC não tubular, no qual a seção reta da câmara pode ser quadrada ou retangular, conforme as dimensões e quantidade das lâminas de silício. O volume da câmara reduzido em relação ao de fornos tubulares, proporciona a diminuição no consumo de gases de alta pureza e de energia elétrica. O sistema de entrada e saída das lâminas na câmara de processamento, do controle de gases de alta pureza e do controle da temperatura é automatizado. Adicionalmente, a presente invenção descreve método de difisão de dopantes e/ou oxidação em lâminas de silício ou de outro semicondutor utilizando o forno. |
