光阻下层膜材料及使用此材料之图案形成方法

摘要

本发明之目的在于提供一种光阻下层膜材料，可降低反射率(具有作为抗反射膜之最适当的n、k值)、埋入特性优异、图案弯曲耐性高，特别是较60nm细之高深宽比线之蚀刻后不会发生蚀刻后之线的倒塌或扭曲，尤其可形成作为3层光阻制程用下层膜；并提供使用该光阻下层膜材料的图案形成方法。;本发明之光阻下层膜材料，其特征为：至少包含藉由缩合以下述通式(1-1)及/或(1-2)表示之1种以上的化合物与以下述通式(2-1)及/或(2-2)表示之1种以上的化合物及/或其等价物而得到的聚合物；;(1-1);(1-2);(2-1);(2-2)。

主权项

一种光阻下层膜材料，其特征为：至少包含藉由缩合以下述通式(1-1)表示之1种以上的化合物与以下述通式(2-2)表示之1种以上的化合物及/或其等价物而得到的聚合物；(其中，R1~R4相互独立为氢原子、羟基、或是可取代的碳数1~30之饱和或不饱和的有机基；R1~R4中的至少2个为羟基；再者，于分子内各别任意地选自于R1~R4的2个取代基亦可键结，并形成环状取代基)(Q为也可经取代之碳数为1~30的有机基，再者，于分子内任意地选出之2个Q亦可键结，并形成环状取代基；n3~n6为各取代基的数，各别为0~2的整数；而在(2-2)中系满足0≦n3+n5≦3、0≦n4+n6≦4、及2≦n3+n4≦4的关系)。