用于等离子体处理装置的基片制程方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一用于等离子体处理装置的基片制程方法，根据等离子体处理装置的装载状态确定调整系数，在制程前根据调整系数和工艺参数调整因子对预设工艺参数进行调整，得到实际工艺参数，并以实际工艺参数对待处理半导体基片进行制程。该方法针对具有两个或两个以上处理腔室的等离子体处理装置，能够在对多片待处理半导体基片同时进行制程的同时，不受同时进行处理的半导体基片数量限制的保证制程效果的一致性。

主权项

一种用于等离子体处理装置的基片制程方法，包括以下步骤：提供待处理半导体基片，并装载至等离子体处理装置；预设制程工艺参数；检测所述等离子体处理装置的装载状态，据此确定调整系数；提供各预设工艺参数的工艺参数调整因子，并根据所述预设工艺参数、工艺参数调整因子及调整系数，确认实际工艺参数；根据实际工艺参数，对基片进行制程。