发明名称 鋶盐、光阻材料及图案形成方法;SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
摘要 本发明提供在将高能射线作为光源之光微影中能提供解像性、特别是图案形状之矩形性优异、且粗糙度小之良好图案,且不易展现缺点之光阻材料中使用之鋶盐、及含有该鋶盐之光阻材料、及使用此光阻材料之图案形成方法。下列通式(1a)表示之鋶盐;;(式中,R及R 0 各自独立地表示氢原子、或也可经杂原子取代、也可插入了杂原子之碳数1~30之直链状、分支状或环状之一价烃基)。
申请公布号 TW201432373 申请公布日期 2014.08.16
申请号 TW103100703 申请日期 2014.01.08
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 大桥正树;小林知洋;关明宽;提箸正义;福岛将大
分类号 G03F7/004(2006.01);C07C381/12(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G03F7/004(2006.01)
代理机构 代理人 <name>周良谋</name><name>周良吉</name>
主权项
地址 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本