发明名称 |
鋶盐、光阻材料及图案形成方法;SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS |
摘要 |
本发明提供在将高能射线作为光源之光微影中能提供解像性、特别是图案形状之矩形性优异、且粗糙度小之良好图案,且不易展现缺点之光阻材料中使用之鋶盐、及含有该鋶盐之光阻材料、及使用此光阻材料之图案形成方法。下列通式(1a)表示之鋶盐;;(式中,R及R 0 各自独立地表示氢原子、或也可经杂原子取代、也可插入了杂原子之碳数1~30之直链状、分支状或环状之一价烃基)。 |
申请公布号 |
TW201432373 |
申请公布日期 |
2014.08.16 |
申请号 |
TW103100703 |
申请日期 |
2014.01.08 |
申请人 |
信越化学工业股份有限公司 |
发明人 |
大桥正树;小林知洋;关明宽;提箸正义;福岛将大 |
分类号 |
G03F7/004(2006.01);C07C381/12(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/004(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>周良谋</name><name>周良吉</name> |
主权项 |
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地址 |
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 日本 |