发明名称 |
Leistungstransistoranordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
摘要 |
Verschiedene Ausführungsformen sehen eine Leistungstransistoranordnung (100) vor. Die Leistungstransistoranordnung (100) kann einen Träger (102); einen ersten Leistungstransistor (104) mit einer Steuerelektrode (112) und einer ersten Leistungselektrode (114) und einer zweiten Leistungselektrode (116); und einen zweiten Leistungstransistor (106) mit einer Steuerelektrode (122) und einer ersten Leistungselektrode (124) und einer zweiten Leistungselektrode (126) enthalten. Der erste Leistungstransistor (104) und der zweite Leistungstransistor (106) können nebeneinander auf dem Träger (102) angeordnet sein, so dass die Steuerelektrode (112) des ersten Leistungstransistors (104) und die Steuerelektrode (122) des zweiten Leistungstransistors (106) dem Träger (102) zugewandt sind. |
申请公布号 |
DE102014101261(A1) |
申请公布日期 |
2014.08.07 |
申请号 |
DE201410101261 |
申请日期 |
2014.02.03 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
HOEGLAUER, JOSEF;OTREMBA, RALF;SCHIESS, KLAUS;SCHLOEGEL, XAVER;SCHREDL, JÜRGEN |
分类号 |
H01L25/07;H01L21/58;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L25/07 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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