一种N型晶体硅电池

摘要

本实用新型公开了一种N型晶体硅电池，由于在N型晶体硅层的背光侧依次设置有隧穿钝化层、P+型晶体硅层和背电极，从而在N型晶体硅层的背光侧可以形成P+N型发射极以分离光生载流子，并且隧穿钝化层可以避免背电极与N型晶体硅层直接欧姆接触，因此可以保证N型晶体硅层的表面钝化，从而降低N型晶体硅电池在P+N结区的载流子复合；并且由于隧穿钝化层具有量子隧穿效应，因此还可以起到较好的隧穿效果以保证载流子的有效传输；同时由于在N型晶体硅层的入光侧设置有N+型晶体硅层，N+型晶体硅层与N型晶体硅层可以形成NN+结，从而可以进一步减少载流子的复合，促进多数载流子的分离与收集，最终可以提高电池的开路电压和转换效率。

主权项

一种N型晶体硅电池，包括N型晶体硅层，其特征在于，还包括：N+型晶体硅层、抗反射钝化层、具有量子隧穿效应的隧穿钝化层、P+型晶体硅层、栅线电极和背电极；其中， 所述N+型晶体硅层位于所述N型晶体硅层的入光侧，所述抗反射钝化层位于所述N+型晶体硅层之上； 所述栅线电极位于所述抗反射钝化层之上且通过贯穿所述抗反射钝化层的过孔与所述N+型晶体硅层欧姆接触； 所述隧穿钝化层位于所述N型晶体硅层的背光侧，所述P+型晶体硅层位于所述隧穿钝化层之上，所述背电极位于所述P+型晶体硅层之上。