发明名称 共掺杂透明导电薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法,特别涉及一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法。其目的在于提供一种新的掺杂方式,以获得具有优良光电性能的透明导电薄膜,使其得到更好利用。本发明的目的是采用下述技术方案实现的:一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤:A)前处理;B)溶胶配制:配制浓度为0.25-2.5mol/L的溶胶;C)旋涂镀膜:将前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,旋转,烘干;D)热处理。本发明的有益效果是:采用溶胶-凝胶法制备ZnO基薄膜,利用Al<sup>3+</sup>和Ga<sup>3+</sup>的共掺杂,获得一种新的具有优良光电性能的透明导电薄膜。
申请公布号 CN102877049B 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201210393515.3 申请日期 2012.10.17
申请人 山东建筑大学 发明人 马洪芳;马芳;刘志宝;刘文斐
分类号 C23C20/08(2006.01)I 主分类号 C23C20/08(2006.01)I
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人 侯绪军
主权项 一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤: A)前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮(C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>O)、无水乙醇及去离子水中超声清洗,分别进行5‑20min,然后吹干备用;B)溶胶配制:配制浓度为1.0mol/L的溶胶:将二水合乙酸锌(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>Zn·2H<sub>2</sub>O溶于乙二醇甲醚(C<sub>3</sub>H<sub>6</sub>O<sub>2</sub>)后,加入Al<sup>3+</sup>,然后加入Ga<sup>3+</sup>,溶液中金属离子浓度满足C(Zn<sup>2+</sup>)+C(Al<sup>3+</sup>)+C(Ga<sup>3+</sup>)=100%,按97.5 at%Zn<sup>2+</sup>+2.0at%Al<sup>3+</sup>+0.5at% Ga<sup>3+</sup>配制,Al<sup>3+</sup>/Ga<sup>3+</sup>=4; Al<sup>3+</sup>和Ga<sup>3+</sup>分别由九水合硝酸铝Al(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>·9H<sub>2</sub>O和硝酸镓Ga(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将所得到的混合液放入60°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s,随后于100°C烘干10min;D)热处理:将通过C)步骤处理后的镀膜载玻片于350°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀10层后,在600°C条件下退火1h。
地址 250101 山东省济南市临港开发区凤鸣路山东建筑大学