| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外，相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a～15d)对置的4根栅极(15e～15h)。即，阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。 | ||
| 申请公布号 | CN102687264B | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201080058540.5 | 申请日期 | 2010.12.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 田丸雅规;中西和幸;西村英敏 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体装置，在第1方向上排列配置了多个单元列，在每个单元列中，在所述第1方向延伸的多个栅极被排列配置在与所述第1方向正交的第2方向上，在所述第2方向上以同一间距配置所述多个栅极，所述多个单元列分别具备在所述栅极的下方形成且分别在所述第2方向上延伸的第1导电型阱区域及第2导电型阱区域，作为所述多个单元列之一的第1单元列具备：第1阱电位供给区域，是在所述第1导电型阱区域中注入导电型与所述第1导电型阱区域相同的杂质而形成的；第2阱电位供给区域，是在所述第2导电型阱区域中注入导电型与所述第2导电型阱区域相同的杂质而形成的；第1栅极，其配置在所述第1阱电位供给区域上；第2栅极，其配置在所述第1阱电位供给区域上；和所述第1阱电位供给区域和所述第2阱电位供给区域被配置成与所述第1栅极和所述第2栅极下方重叠。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||