氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法

摘要

本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法，其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波，在测定因上述激励光的照射而发生变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止上述激励光的照射，并测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化，根据上述测定的值算出寿命值，由此判定上述氧化物半导体薄膜的迁移率。

主权项

一种氧化物半导体薄膜的评价方法，其特征在于，对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波，在测定因所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止所述激励光的照射，并测定所述激励光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化，根据相对于所述反射率的峰值而言反射率衰减到1/e的时间越延迟则寿命越长、且载流子迁移率也与所述氧化物半导体薄膜的寿命的长短成正比地变高这一情况，由测定的所述反射率的变化来算出所述氧化物半导体薄膜的寿命值，由此判定所述氧化物半导体薄膜的根据薄膜晶体管的开关特性而算出的载流子迁移率。