| 发明名称 | 半导体器件、集成电路和制造集成电路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件、集成电路和制造集成电路的方法。一种半导体器件在包括第一主表面的半导体衬底中形成并且包括置放于在第一主表面中形成的第一沟槽的下部中的控制栅、在控制栅上方置放在第一沟槽中并且从控制栅绝缘的浮栅、第一导电类型的源极区域、第二导电类型的本体区域和第一导电类型的漏极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103972301A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410044010.5 | 申请日期 | 2014.01.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | A.迈泽尔;W.施维特利克 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/788(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种在包括第一主表面的半导体衬底中形成的半导体器件，所述半导体器件包括：置放于在所述第一主表面中形成的第一沟槽的下部中的控制栅；在所述控制栅上方置放在所述第一沟槽中并且从所述控制栅绝缘的浮栅；第一导电类型的源极区域、第二导电类型的本体区域和第一导电类型的漏极区域，其中所述本体区域的一个部分邻近于所述浮栅。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||