III-V族晶圆可重复进行磊晶制程之方法与构造

摘要

揭示一种Ⅲ-Ⅴ族晶圆可重复进行磊晶制程之方法与结构。依照该方法，进行第一次磊晶制程，使一磊晶结构形成于Ⅲ-Ⅴ族晶圆之正面上，其中磊晶结构包含一雷射吸收层与一元件作动层。压贴一转换基板于磊晶结构上。由该背面照射一具有特定波长之雷射光，以使该Ⅲ-Ⅴ族晶圆相对于雷射光为透明并以雷射吸收层吸收雷射光而分解。最后能剥离出Ⅲ-Ⅴ族晶圆，使其与已结合上该元件作动层之转换基板相分离。藉此，完整剥离出Ⅲ-Ⅴ族晶圆，使Ⅲ-Ⅴ族晶圆能进行第二次以上的磊晶制程的重覆使用，进而降低基材成本。

主权项

一种Ⅲ-V族晶圆可重复进行磊晶制程之方法，包含以下步骤：提供一Ⅲ-V族晶圆，系具有一正面与一背面；进行第一次磊晶制程，使一磊晶结构形成于该正面上，其中该磊晶结构系包含一雷射吸收层与一元件作动层；压贴一转换基板于该磊晶结构上；由该背面照射一雷射光，其中该雷射光系具有一特定波长，以使该Ⅲ-V族晶圆系相对于该雷射光为透明并以该雷射吸收层吸收该雷射光而分解；以及剥离出该Ⅲ-V族晶圆，使其与已结合上该元件作动层之该转换基板相分离。