| 发明名称 |
动态随机存取记忆体的浅沟槽隔绝结构及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种动态随机存取记忆体(DRAM)的浅沟槽隔绝(STI)结构及其制造方法，该方法的步骤为(a)提供一基材；(b)在该基材中蚀刻至少一沟渠；(c)在该沟渠底部或侧边掺杂一掺杂物；(d)在该沟渠内填充氧化物；及(e)抛光磨平该沟渠及该氧化物的上方。藉此，该STI结构的掺杂物周边或角落之处的应力集中现象可大幅减小，用以消除矽材质的晶格缺陷，并改善DRAM的数据资料维持时间(Retention time)之变异性问题。 |
| 申请公布号 |
TWI447859 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW101108354 |
申请日期 |
2012.03.12 |
| 申请人 |
华亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡复兴三路667号 |
发明人 |
辜亚敏;何 瑞克;达塔 达文西库马尔;周健华;杨家铭;李建錡;余 瑞德 |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L21/762;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼 |
| 主权项 |
一种动态随机存取记忆体的浅沟槽隔绝结构之制造方法，其步骤包括：(a)提供一基材；(b)在该基材中蚀刻至少一沟渠；(c)在该沟渠底部或侧边掺杂一掺杂物，使该沟渠于该掺杂物周边及该沟渠的角落处的应力集中现象减少，因而减少该沟渠表面晶格差排、平面滑移等晶格缺陷；其中，该掺杂物为4A族的任一元素；(d)在该沟渠内填充氧化物；及(e)抛光磨平该沟渠及该氧化物的上方。 |
| 地址 |
桃园县龟山乡复兴三路667号 |
