具有异质接面之矽基太阳能电池及其制程方法

摘要

本发明揭示一种具有异质接面之矽基太阳能电池及其制程方法。藉由额外加入之微晶矽质薄膜，使矽基太阳能电池具有改善其电流特性及提升光电转换效率之特性。

主权项

一种具有异质接面之矽基太阳能电池，包含：一基板，具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面；一第一本质型(i型)半导体层，配置于该第一糙化表面上，且包含一微晶矽质，镶埋于该第一本质型(i型)半导体层，其中，该第一本质型(i型)半导体层之厚度系介于5奈米至150奈米之间，该微晶矽质于该第一本质型(i型)半导体层中的比例系介于30%至50%之间，该微晶矽质之氢含量系介于3%至10%之间；一P型半导体层，配置于该第一本质型(i型)半导体层上，其中，该P型半导体层之厚度系介于10奈米至100奈米之间，该P型半导体层之氧含量系介于1×1017至5×1018原子/立方公分之间，且该P型半导体层之能隙系介于1.6eV至1.9eV之间；一第一电极，配置于该P型半导体层上，该第一电极系含杂质的二氧化锡，具有85%以上之透光度，且其片电阻值系介于5Ω/□至10Ω/□之间，其厚度系介于100奈米至900奈米之间；一第二本质型(i型)半导体层，配置于该第二糙化表面上，且包含该微晶矽质，镶埋于该第二本质型(i型)半导体层，其中，该第二本质型(i型)半导体层之厚度系介于5奈米至150奈米之间，该微晶矽质于该第二本质型(i型)半导体层中的比例系介于30%至50%之间，该微晶矽质之氢含量系介于3%至10%之间；一N型半导体层，配置于该第二本质型(i型)半导体层上，其中，该N型半导体层之厚度系介于10奈米至100奈米之间，该N型半导体层之氧含量系介于1×1017至5×1018原子/立方公分之间，且该N型半导体层之能隙系介于1.6eV至1.9eV之间；以及一第二电极，配置于该N型半导体层上，该第二电极系含杂质的二氧化锡，具有85%以上之透光度，且其片电阻值系介于5Ω/□至10Ω/□之间，其厚度系介于100奈米至900奈米之间；其中该P型半导体层与该N型半导体层之能隙皆大于该第一本质型(i型)半导体层与该第二本质型(i型)半导体层之能隙；且该第一本质型(i型)半导体层、该P型半导体层、该第二本质型(i型)半导体层以及该N型半导体层系采用一热丝化学气相沈积系统所沈积，该热丝化学气相沈积系统之热丝温度系介于介于1800℃至2000℃之间，其腔体之压力系介于10mtorr至30mtorr之间，其基板110的温度系介于25℃至200℃之间，其腔体之镀率系介于40/sec至50/sec之间。