发明名称 |
一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种阵列基板,液晶显示面板及显示装置,由于该阵列基板包括位于薄膜晶体管上方的公共电极,以及分别位于公共电极上方和下方,且均与薄膜晶体管的漏电极电性连接的第一像素电极和第二像素电极,因此,该阵列基板可以同时在第一像素电极与公共电极之间,以及第二像素电极和公共电极之间形成存储电容;而现有技术中由于阵列基板中只有一个像素电极和一个公共电极,因此现有技术中只能在一个像素电极和公共电极之间形成存储电容。因此,本实用新型实施例提供的上述阵列基板与现有的阵列基板相比,可以增大阵列基板的存储电容,从而提高阵列基板的像素电压保持率、以及降低显示装置的闪烁等不良现象,进而提高显示装置的显示品质。 |
申请公布号 |
CN203745775U |
申请公布日期 |
2014.07.30 |
申请号 |
CN201420053788.8 |
申请日期 |
2014.01.27 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
崔贤植;金熙哲;林允植 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板,包括衬底基板,位于所述衬底基板上的薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极,其特征在于,还包括: 位于所述薄膜晶体管上方的公共电极,以及与所述薄膜晶体管的漏电极电性连接的第一像素电极和第二像素电极;其中, 所述第一像素电极位于所述公共电极的下方且与所述公共电极相互绝缘,所述第二像素电极位于所述公共电极的上方且与所述公共电极相互绝缘。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |