发明名称 一种厚膜基板与功率外壳的真空焊接方法
摘要 本发明涉及一种厚膜基板与功率外壳的真空焊接方法,利用原材料表面1:1搪锡,实现空洞率小于5%的高钎焊率,属于电子装联技术领域。本发明采用SiC-Al复合材料功率外壳替代10#钢外壳,降低产品重量;采用真空焊接代替再流焊接,采用焊片搪锡替代焊膏,有助于去除由于焊剂排出不及时造成的气泡残留,降低了界面空洞率,并且真空焊接后不需要再进行清洗焊剂;真空焊接时,厚膜基板和功率外壳之间不再加焊片,可以有效去除焊片表面氧化带来的焊接空洞,通过对厚膜基板和功率外壳进行搪锡去除二者表面的氧化膜,得到洁净的被焊表面,提高润湿性能,焊接过程中排气通道更加顺畅。
申请公布号 CN103934534A 申请公布日期 2014.07.23
申请号 CN201410151591.2 申请日期 2014.04.15
申请人 北京卫星制造厂 发明人 王宁宁;飞景明;任凭;杨猛;何宗鹏;陈雅容;张彬彬
分类号 B23K1/008(2006.01)I;B23K1/20(2006.01)I 主分类号 B23K1/008(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 张丽娜
主权项 一种厚膜基板与功率外壳的真空焊接方法,其特征在于步骤为:(1)制作轻质SiC‑Al复合材料功率外壳,采用玻璃绝缘子实现引脚与外壳基体的绝缘;(2)制作大小相同的两块焊片;(3)采用步骤(2)中的两片焊片分别对厚膜基板和步骤(1)中得到的功率外壳进行搪锡处理,搪锡时将厚膜基板和功率外壳分别放置在加热台进行预热;待搪锡后冷却到室温,并在无水乙醇溶液中清洗干净;(4)将功率外壳放置在一块导热块上,然后将厚膜基板放置在功率外壳的上面,再在厚膜基板上放置一块压块;(5)将步骤(4)得到的工件放置在真空炉中的加热平台上,开始抽真空并加热,进行真空焊接。
地址 100190 北京市海淀区知春路63号