一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法。该芯片尺寸级氮化镓基晶体管包括：衬底；依次沉积于衬底正面的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层、氮化镓帽层，其中，氮化镓帽层的两侧经刻蚀形成台阶；分别形成氮化镓帽层两侧台阶的漏极和源极，形成于氮化镓帽层上的栅极，其中，漏极、源极和栅极各自的下方直至衬底背面分别形成通孔，三个通孔的侧壁形成绝缘层，其内部填充金属，从而将漏极、源极和栅极电性连接至衬底背面。本发明将漏极、栅极、源级的金属层用导电通道的方法连接到衬底背面，在原有器件性能不变的基础上，能大大缩减封装器件的体积。

主权项

一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管，其特征在于，包括：衬底(1)；依次沉积于所述衬底(1)正面的低温成核层(2)、氮化镓高阻层(3)、高迁移率氮化镓层(4)、氮化铝掺入层(5)、铝镓氮势垒层(6)、氮化镓帽层(7)，其中，所述氮化镓帽层(7)的两侧经刻蚀形成台阶，该台阶的下沿直至所述铝镓氮势垒层(6)；分别形成所述氮化镓帽层(7)两侧台阶的漏极(8)和源极(10)，形成于所述氮化镓帽层(7)上的栅极(9)，其中，所述漏极(8)、源极(10)和栅极(9)各自的下方直至所述衬底(1)未沉积薄膜的另一面分别形成通孔，三个通孔的侧壁形成绝缘层(12)，其内部填充金属(13、14、15)，从而将所述漏极(8)、源极(10)和栅极(9)电性连接至衬底(1)未沉积薄膜的背面，形成相应的导电垫，构成氮化镓基晶体管主体；以及形成于所述氮化镓基晶体管主体的侧面以及上面，并露出所述衬底(1)背面导电垫的绝缘封装层。