| 发明名称 | 一种SEM样品制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SEM样品制备方法，涉及继承电路制造领域。该方法为：提供一具有待填充沟槽的半导体结构，采用层间介质层高纵深比制程工艺对所述沟槽进行填充；进行热处理；酸液腐蚀形成SEM样品。采用本发明通过低温的热处理可以让ILD HARP更加致密，更能够抵抗氢氟酸HF的侵蚀。从而可以采用简单易行SEM方式和氢氟酸HF腐蚀处理的方式来评估缝隙填充效果，该方法适用于新型逻辑器件结构及其工艺集成中。 | ||
| 申请公布号 | CN103926120A | 申请公布日期 | 2014.07.16 |
| 申请号 | CN201410106490.3 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 郑春生;张志刚;徐灵芝;张文广 |
| 分类号 | G01N1/28(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人 | 吴俊 |
| 主权项 | 一种SEM样品制备方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1、提供一具有待填充沟槽的半导体结构，采用层间介质层高纵深比制程工艺对所述沟槽进行填充；步骤2、进行热处理；步骤3、酸液腐蚀形成SEM样品。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||