发明名称 |
测试结构 |
摘要 |
本实用新型提出了一种测试结构,包括至少一个PMOS和NMOS,PMOS和NMOS紧靠成对排列,PMOS和NMOS均设有源极、漏极、栅极和有源区。测试结构包括紧贴成对排列的NMOS和PMOS,通过对NMOS和PMOS的检测,能够检测出NMOS和PMOS两者之间的相互影响,全面的监测NMOS和PMOS的性能,有效的提高检测的准确性。 |
申请公布号 |
CN203721716U |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201320879310.6 |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
康芸 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种测试结构,其特征在于,所述结构包括: 至少一个PMOS和NMOS,所述PMOS和NMOS紧靠成对排列,所述PMOS和NMOS均设有源极、漏极、栅极和有源区;所述测试结构还包括多个通孔连线和多个测试盘,所述通孔连线分别与所述栅极、源极和漏极连接,所述测试盘通过所述通孔连线分别与所述栅极、源极和漏极相连。 |
地址 |
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |