发明名称 测试结构
摘要 本实用新型提出了一种测试结构,包括至少一个PMOS和NMOS,PMOS和NMOS紧靠成对排列,PMOS和NMOS均设有源极、漏极、栅极和有源区。测试结构包括紧贴成对排列的NMOS和PMOS,通过对NMOS和PMOS的检测,能够检测出NMOS和PMOS两者之间的相互影响,全面的监测NMOS和PMOS的性能,有效的提高检测的准确性。
申请公布号 CN203721716U 申请公布日期 2014.07.16
申请号 CN201320879310.6 申请日期 2013.12.27
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 康芸
分类号 H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种测试结构,其特征在于,所述结构包括: 至少一个PMOS和NMOS,所述PMOS和NMOS紧靠成对排列,所述PMOS和NMOS均设有源极、漏极、栅极和有源区;所述测试结构还包括多个通孔连线和多个测试盘,所述通孔连线分别与所述栅极、源极和漏极连接,所述测试盘通过所述通孔连线分别与所述栅极、源极和漏极相连。 
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