具有垂直单元堆叠结构的反及快闪记忆体及其制造方法;NAND FLASH MEMORY WITH VERTICAL CELL STACK STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

摘要

所揭露的系为一种制造具有一垂直单元堆叠结构的快闪记忆体之方法。方法包括在具有一离子植入阱之一基板的一单元区域中形成源极线且形成相对于源极线的一对准标记。对准标记系形成于基板之单元区域外部的基板中。在形成源极线之后,形成了单元堆叠层。在形成单元堆叠层之后,使用对准标记在相对于先前形成之源极线的位置形成单元堆叠层中的单元柱以正确地定位出单元柱。