发明名称 |
静电放电保护电路的延迟电路及其保护的方法和集成电路 |
摘要 |
本发明是有关于一种静电放电保护电路的延迟电路及其保护的方法和集成电路,是用于静电保护的具有增加RC延迟时间的RC电路。此电路使用N型金属氧化物半导体场效应晶体管和P型金属氧化物半导体场效应晶体管,从而使用相对较小的布局面积就可以产生一较大的等效电阻。 |
申请公布号 |
CN102195614B |
申请公布日期 |
2014.07.16 |
申请号 |
CN201010159772.1 |
申请日期 |
2010.04.27 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
王世钰;吕佳伶;刘玉莲;陈彦宇;林哲仕;卢道政 |
分类号 |
H03H11/26(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H03H11/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
一种静电放电保护电路的延迟电路,其特征在于其包括:一电容器,具有一端点与一节点连接;一第一晶体管,具有一漏极端点与该节点连接;以及一第二晶体管,具有一漏极端点与该第一晶体管的栅极端点连接,且具有一栅极端点与该节点连接;该电容器还具有另一端点与该第二晶体管的源极端点连接。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |