| 发明名称 | 一种化学机械抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化，步骤B：用阻挡层抛光液去除钽阻挡层和部分介电层并对表面进行平坦化，步骤C：用介电层化学机械抛光液去除介电层并保留氮化硅层。通过改变抛光工艺流程，产能得到提高，同时介电层抛光后能停在氮化硅停止层上，能较好的控制抛光过程。 | ||
| 申请公布号 | CN103894918A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201210585149.1 | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 荆建芬;姚颖;王雨春;王文龙 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 一种用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化，步骤B：用阻挡层抛光液去除钽阻挡层和部分介电层并对表面进行平坦化，步骤C：用介电层化学机械抛光液去除介电层并停留在氮化硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼602室 | ||