发明名称 存储器阵列及其控制方法和闪存
摘要 本发明提供了一种存储器阵列及其控制方法和闪存,其中,所述存储器阵列包括:若干条字线、若干条位线、若干条数据控制线、若干条参考控制线、若干列存储单元和至少一列参考单元;同一列的存储单元或参考单元均与相邻的两条位线连接,同一行的存储单元和参考单元共用一条字线,同一行的存储单元通过数据控制线相互连接,同一行的参考单元通过参考控制线相互连接;其中,所述数据控制线与所述参考控制线是断开的。在本发明提供的存储器阵列及其控制方法和闪存中,通过断开存储单元和参考单元的控制线,实现分别控制,使得所述参考单元所连接的参考控制线能够保持0V左右的电压,从而保证参考电流的稳定性。
申请公布号 CN103903650A 申请公布日期 2014.07.02
申请号 CN201410097794.8 申请日期 2014.03.17
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 顾靖
分类号 G11C16/24(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I 主分类号 G11C16/24(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种存储器阵列,其特征在于,包括:若干条字线、若干条位线、若干条数据控制线、若干条参考控制线、若干列存储单元和至少一列参考单元;同一列的存储单元或参考单元均与相邻的两条位线连接,同一行的存储单元和参考单元共用一条字线,同一行的存储单元通过数据控制线相互连接,同一行的参考单元通过参考控制线相互连接;其中,所述数据控制线与所述参考控制线是断开的。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号