| 发明名称 | 金属氧化物半导体器件和制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及金属氧化物半导体器件和制作方法，具体提供了一种半导体器件，包括嵌入在半导体衬底中的第一阱和第二阱。所述半导体器件进一步包括在第二阱之上并与该第二阱接触并且与栅极结构分离的凸起型漏极结构。所述凸起型漏极结构包括在第二阱的表面之上的漏极连接点。 | ||
| 申请公布号 | CN103904116A | 申请公布日期 | 2014.07.02 |
| 申请号 | CN201310739748.9 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 伊藤明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一阱，嵌入在半导体衬底中；第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱之上；以及凸起型漏极结构，在所述第二阱之上并与所述第二阱接触并且与所述栅极结构分开，所述凸起型漏极结构包括在所述第二阱的表面之上的漏极连接点。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||