从晶圆背侧切割晶圆;WAFER DICING FROM WAFER BACKSIDE

摘要

兹描述切割半导体晶圆的方法，每一晶圆具有复数个积体电路。例如，方法包括涂铺保护带至晶圆前侧，晶圆具有附接至晶圆背侧的切割带。自晶圆背侧移除切割带，以露出晶粒附接膜，晶粒附接膜置于晶圆背侧与切割带之间。或者，若最初无晶粒附接膜置于晶圆背侧与切割带之间，则在此操作中，涂铺晶粒附接膜至晶圆背侧。涂铺水溶性遮罩至晶圆背侧。于晶圆背侧上进行雷射划线，以切穿遮罩、晶粒附接膜和晶圆，包括包含在晶圆的前侧与背侧内的所有层。进行电浆蚀刻，以处理或清洗由雷射划线所露出的晶圆表面。清洗晶圆背侧，及涂铺第二切割带至晶圆背侧。自晶圆前侧移除保护带。