调整闸极功函数的方法与具有金属闸极的电晶体

摘要

一种调整闸极功函数的方法，首先，提供一基底，一金属闸极设置在基底中，一源极掺杂区和一汲极掺杂区分别设置在金属闸极的相对两侧之基底中，其中金属闸极分为一邻近源极区与源极掺杂区相邻和一邻近汲极区与汲极掺杂区相邻，并且邻近源极区与邻近汲极区相邻，然后，形成一遮罩层覆盖源极掺杂区和汲极掺杂区，接着，进行一植入制程将氮植入金属闸极，使得邻近源极区具有一第一氮浓度且邻近汲极区具有一第二氮浓度，第一氮浓度高于第二氮浓度，最后移除该遮罩层。

主权项

一种调整闸极功函数的方法，包含：提供一基底，一金属闸极设置在该基底中，一材料层设置于该金属闸极和该基底之间，一源极掺杂区和一汲极掺杂区分别设置在该金属闸极的相对两侧之该基底中，其中该金属闸极分为一邻近源极区与该源极掺杂区相邻和一邻近汲极区与该汲极掺杂区相邻，并且该邻近源极区与该邻近汲极区相邻，该邻近源极区接触该材料层且该邻近汲极区接触该材料层；形成一遮罩层覆盖该源极掺杂区和该汲极掺杂区；进行一植入制程将氮植入该金属闸极，使得该邻近源极区具有一第一氮浓度且该邻近汲极区具有一第二氮浓度，该第一氮浓度高于该第二氮浓度；以及移除该遮罩层。