发明名称 功率半导体模块和具有多个功率半导体模块的功率半导体模块组件
摘要 本发明提供一种功率半导体模块(1),包括:导电底板(2);导电顶板,与底板(2)平行布置并与底板(2)隔开;至少一个功率半导体设备(3),布置在底板(2)上在底板(2)与顶板之间形成的空间中;以及至少一个压引脚(5、7),布置在底板(2)与顶板之间形成的空间中,以在半导体设备(3)与顶板之间提供接触,其中,金属保护板(11)设置在顶板的朝向底板(2)的内面,其中,保护板(11)的材料具有的熔融温度高于顶板的熔融温度。本发明还提供功率半导体模块组件,包括多个如上所述的功率半导体模块(1),其中,功率半导体模块(1)彼此并排布置,在相邻的功率半导体模块(1)之间具有电连接。
申请公布号 CN103890941A 申请公布日期 2014.06.25
申请号 CN201280051153.8 申请日期 2012.10.18
申请人 ABB 技术有限公司 发明人 F.杜加;D.特雷斯塞
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/051(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 何欣亭;刘春元
主权项  一种功率半导体模块(1),包括:导电底板(2),导电顶板(20),与底板(2)平行布置并与所述底板(2)隔开,至少一个功率半导体设备(3),布置在所述底板(2)上在所述底板(2)与所述顶板之间形成的空间中;以及至少一个压引脚(5、7),布置在所述底板(2)与所述顶板(20)之间形成的所述空间中,以在所述功率半导体设备(3)与所述顶板之间提供接触,其特征在于,金属保护板(11)设置在所述顶板的朝向所述底板(2)的内面,其中,所述保护板(11)的材料具有的熔融温度高于所述顶板(20)的熔融温度。
地址 瑞士苏黎世