金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管

摘要

本发明提供了一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，涉及电子器件，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。所述金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦形成焊接层。所述晶体管，包括芯片、芯片载体和连接所述芯片和所述芯片载体的中间层，所述焊中间层为利用上述焊接方法获得的焊接层。本发明较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。

主权项

一种金/硅共晶芯片焊接方法，其特征在于，包括：在芯片载体的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域的所述金层上键合多个金凸起；在共晶温度下将芯片在焊接区域进行摩擦，使所述金凸起与所述芯片表体反应形成硅金焊点而实现所述芯片在所述载体上的封装。