太阳能电池元件的制备方法及利用该方法制备的太阳能电池元件

摘要

本发明涉及太阳能电池，尤其涉及太阳能电池元件的制备方法以及利用该方法制备的太阳能电池元件。该太阳能电池元件包括：具有第一半导体特性的硅基板，其底面形成一个以上的第一半导体层及一个以上的第二半导体层；分别与第一半导体层和所述第二半导体层电连接形成的第一电极层和第二电极层；防反射膜，形成在硅基板的上表面。该制备方法包括：在所述基板的上表面形成多个第一凹凸部和第二凹凸部的凹凸部形成步骤；凹凸部形成步骤包括：第一凹凸部形成步骤，用酸性水溶液蚀刻基板，在基板的外表面形成多个述第一凹凸部；第二凹凸部形成步骤，在形成了第一凹凸部的基板上表面进行干法蚀刻，形成多个第二凹凸部。

主权项

一种太阳能电池元件的制备方法，其特征在于，所述太阳能电池元件包括：硅基板，其具有第一半导体特性，在其底面形成具有与所述第一半导体特性相同特性的一个以上的第一半导体层和与所述第一半导体特性不同的具有第二半导体特性的一个以上的第二半导体层；第一电极层和第二电极层，所述第一电级层和第二电极层分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层电连接形成；防反射膜，其形成在所述硅基板的上表面；所述太阳能电池元件的制备方法包括：在所述基板的上表面形成多个第一凹凸部和比所述第一凹凸部小的第二凹凸部的凹凸部形成步骤；所述凹凸部形成步骤包括：第一凹凸部形成步骤，用酸性水溶液蚀刻所述基板，在基板的外表面形成多个所述第一凹凸部；第二凹凸部形成步骤，通过所述第一凹凸部形成步骤在形成了所述第一凹凸部的所述基板的上表面进行干法蚀刻，从而形成多个所述第二凹凸部；以及在进行第一凹凸部形成步骤之前形成用于保护第一半导体层及第二半导体层的凹凸部形成防止层的防止层形成步骤；在第一凹凸部形成步骤之后或在第二凹凸部形成步骤之后，去除所述凹凸部形成防止层的防止层去除步骤。