发明名称 |
改善晶圆翘曲度的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法,包括如下步骤:准备具有不同热胀系数的贴膜材料;对翘曲晶圆进行曲率测试;根据晶圆的翘曲度选择贴膜材料及贴膜环境温度;将贴膜环境、贴膜材料及晶圆的温度升高到贴膜环境温度;在贴膜环境温度下,将所选贴膜材料贴到晶圆表面上;将贴膜后的晶圆冷却至室温;在晶圆上完成器件工艺;器件工艺完成后将贴膜材料去除。本发明能改善晶圆翘曲度,降低晶圆翘曲器件工艺的不利影响,且工艺简单、成本低廉。 |
申请公布号 |
CN103871837A |
申请公布日期 |
2014.06.18 |
申请号 |
CN201210552256.4 |
申请日期 |
2012.12.18 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
程晋广 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种改善晶圆翘曲度的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、准备具有不同热胀系数的贴膜材料,所述贴膜材料能够包括多种,每一种所述贴膜材料在一系列的环境温度变化下提供不同的张力;步骤二、在室温下对翘曲晶圆进行曲率测试得到所述晶圆的翘曲度;步骤三、根据所述晶圆的翘曲度选择所述贴膜材料的种类以及所选择的贴膜材料所对应的贴膜环境温度;步骤四、将贴膜环境、所选择的所述贴膜材料及所述晶圆的温度都升高到所述贴膜环境温度;步骤五、在所述贴膜环境温度下,将所选的所述贴膜材料贴到所述晶圆背面表面上;步骤六、将贴膜后的所述晶圆冷却至室温,使室温时所述晶圆的表面平整;步骤七、在所述晶圆上完成器件工艺;步骤八、器件工艺完成后将所述贴膜材料去除。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |