| 发明名称 | 基准电压产生电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基准电压产生电路，包括：一带隙基准电流产生电路，在该带隙基准电流产生电路的输出端与地之间连接一个采用二极管连接方式的NMOS晶体管，或者串联连接多个采用二极管连接方式的NMOS晶体管。本发明具有较低的输出噪声，且可以节省芯片面积。 | ||
| 申请公布号 | CN103853228A | 申请公布日期 | 2014.06.11 |
| 申请号 | CN201210525189.7 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 发明人 | 苏威;武洁;徐家雷 |
| 分类号 | G05F3/26(2006.01)I | 主分类号 | G05F3/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种基准电压产生电路，包括：一带隙基准电流产生电路，其特征在于，在该带隙基准电流产生电路的输出端与地之间连接一个采用二极管连接方式的NMOS晶体管，或者串联连接多个采用二极管连接方式的NMOS晶体管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区碧波路572弄39号 | ||