一种TFT阵列基板的制造方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括如下步骤：通过构图工艺在基板上分别形成包括金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、数据扫描线以及接触过孔的图形，其中，所述金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层通过一次构图工艺形成，所述源电极、漏电极、透明像素电极以及数据扫描线通过一次构图工艺形成。该制造方法能够简化制作工艺，提高生产效率，降低生产成本，且提高了良品率。

主权项

一种TFT阵列基板的制造方法，包括如下步骤：通过构图工艺在基板上分别形成包括金属氧化物半导体层、透明像素电极、源电极、漏电极、刻蚀阻挡层、栅电极、栅极扫描线、栅极绝缘层、数据扫描线以及接触过孔的图形，所述金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层通过一次构图工艺形成，所述源电极、漏电极、透明像素电极以及数据扫描线通过一次构图工艺形成，其特征在于，该制造方法具体包括以下步骤：步骤S1）：采用灰色调或半色调掩模板，通过一次构图工艺在基板上形成包括金属氧化物半导体层和刻蚀阻挡层的图形；步骤S2）：采用灰色调或半色调掩模板，通过一次构图工艺，在完成步骤S1）的基板上形成包括源电极、漏电极、数据扫描线以及透明像素电极的图形；步骤S3）：在完成步骤S2）的基板上形成栅极绝缘层，再通过一次构图工艺形成包括接触过孔的图形；步骤S4）：在完成步骤S3）的基板上通过一次构图工艺形成包括栅电极和栅极扫描线的图形。