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<p>Ein nichtflüchtiger Speicher (1200) weist eine Mehrzahl von Bänken (111 bis 11n), eine Steuerlogik (130) und eine Mehrzahl von Lese- und Schreib-(RW-)Schaltungen (121 bis 12n) auf. Jede Bank (111 bis 11n) weist eine Mehrzahl von Speicherzellen auf. Die Steuerlogik (130) weist eine Mehrzahl von Speichereinheiten(S1 bis Sn) auf, welche jeweils den Bänken (111 bis 11n) entsprechen, und ist dazu konfiguriert sind, Schreib-Freigabesignale (WE) und Lese-Freigabesignale (RE), zu jeweiligen Bänken (111 bis 11n), basierend auf Modus-Information auszugeben, welche in jeweiligen Speichereinheiten (S1 bis Sn) gespeichert ist. Die RW-Schaltungen (121 bis 12n) sind jeweils mit den Bänken (111 bis 11n) verbunden und sind dazu konfiguriert, unabhängig Schreib- und Lese-Operationen der jeweiligen Bänke (111 bis 11n) als Antwort auf die Schreib-Freigabesignale (WE) und die Lese-Freigabesignale (RE) der jeweiligen Bänke (111 bis 11n) freizugeben oder nicht freizugeben. In einem anfänglichen Zustand, nachdem die Modus-Information in den jeweiligen Speichereinheiten (S1 bis Sn) gespeichert ist, aktiviert die Steuerlogik (130) die Schreib-Freigabesignale (WE) und die Lese-Freigabesignale (RE) der jeweiligen Bänke (111 bis 11n) unabhängig von der Modus-Information, welche in den jeweiligen Speichereinheiten (S1 bis Sn) gespeichert ist.</p> |
