发明名称 用来制备光学预成形件的方法
摘要 一种制造光学预成形件的方法,其包括以下步骤:a)在足够的温度和气体浓度下,使用包含含氟的蚀刻剂气体的气体对光学预成形件进行蚀刻,除去一部分沉积在所述预成形件上的氧化物材料,在剩余的氧化物材料中形成再沉积的含锗化合物污染物,例如GeO<sub>x</sub>;以及b)在足够的温度和气体浓度下,使用包含至少一种卤素气体的清洁气体对蚀刻过的预成形件进行清洁,以除去所述再沉积的含锗化合物污染物,同时不会对剩余的沉积的氧化物材料造成任何显著的进一步的污染。较佳的是,所述卤素是氯或溴。
申请公布号 CN102076623B 申请公布日期 2014.06.04
申请号 CN200980124803.5 申请日期 2009.04.30
申请人 康宁股份有限公司 发明人 D·C·布克班德;N·勒布隆;J·E·杨
分类号 C03B37/014(2006.01)I;C03B37/018(2006.01)I;C03C15/00(2006.01)I 主分类号 C03B37/014(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 沙永生;周承泽
主权项 一种制造光学预成形件的方法,所述方法包括以下步骤:a)在足够的温度和气体浓度下,使用包含含氟的蚀刻剂气体的气体对包含至少10重量%GeO<sub>2</sub>的固结的光学预成形件内壁进行蚀刻,以除去沉积在预成形件上的一部分氧化物材料,从而在光学预成形件经过蚀刻的部分上剩余的氧化物材料上形成再沉积的Ge化合物污染物;b)在800‑1600℃的温度和足够的气体浓度下,通过向预成形件经过蚀刻的部分提供包含至少一种卤素气体的清洁气体对蚀刻过的预成形件进行清洁,以除去再沉积的Ge化合物污染物,同时不会对剩余的沉积的氧化物材料造成任何显著的进一步污染,其中所述卤素是氯或溴,不含氟。
地址 美国纽约州