集成电路装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。

主权项

一种集成电路装置，包括：一第一工作件，包括：一铜凸块，具有一上表面及侧壁；以及一保护层，在该铜凸块的该侧壁上，而不在该上表面，其中该保护层包括一含铜聚合物类的化合物，且其中该保护层为一介电层。