一种LED芯片及其制作方法

摘要

本发明揭露了一种LED芯片及其制造方法，所述LED芯片在所述P型GaN层中形成了金属纳米阵列，所述金属纳米阵列包括金属芯和电介质外壳，所述金属纳米阵列能和有源层的光发生离子共振，从而提高LED的内量子效率，此外，有源层发出的光可以在金属纳米阵列上发生散射，提高光析出率，最终而提高LED的发光效率。

主权项

一种的LED芯片的制造方法，包括：提供衬底，依次在所述衬底上形成N型GaN层、有源层和P型GaN层；刻蚀所述P型GaN层，形成阵列排布的开口；在所述开口的底部和侧壁形成第一电介质层；在所述开口填充金属，形成金属芯；在所述开口中形成第二电介质层，所述第一电介质层和第二电介质层形成电介质外壳。