| 发明名称 | 钳位二极管及其版图结构和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钳位二极管，包括：P型衬底上的N型阱区，N型阱区上部的P型高阻区，P型高阻区之间具有P型低阻区，P型高阻区的外侧具有绝缘区，位于P型高阻区同侧的两个绝缘区之间具有N+掺杂区，与P型高阻区相邻的绝缘区上具有多晶硅层，P型低阻区和N+掺杂区上具有金属硅化物；P型高阻区和P型低阻区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阳极；N+掺杂区通过金属硅化物引出构成钳位二极管的阴极；多晶硅层与阳极引出端短接。本发明还提供了所述钳位二极管的版图结构和所述钳位二极管的制造方法。本发明钳位二极管能代替BGR电路在高精度电压要求应用中的作用，同时能降低成电路制造成本，缩小集成芯片面积，有利于集成电路的小型化。 | ||
| 申请公布号 | CN103811560A | 申请公布日期 | 2014.05.21 |
| 申请号 | CN201210441977.8 | 申请日期 | 2012.11.07 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 仲志华;祝奕琳 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种钳位二极管，其特征是，包括：P型衬底（1）上的N型阱区（2），N型阱区（2）上部的P型高阻区（4），P型高阻区（4）之间具有P型低阻区（5），P型高阻区（4）的外侧具有绝缘区（3），位于P型高阻区（4）同侧的两个绝缘区（3）之间具有N+掺杂区（8），与P型高阻区（4）相邻的绝缘区（3）上具有多晶硅层（7），P型低阻区（5）和N+掺杂区（8）上具有金属硅化物（6）；P型高阻区（4）和P型低阻区（5）通过金属硅化物（6）引出构成钳位二极管的阳极；N+掺杂区（8）通过金属硅化物（6）引出构成钳位二极管的阴极；多晶硅层（7）与阳极引出端短接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||