Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

摘要

In mindestens einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (3) mit einer n-leitenden Schicht (31), einer p-leitenden Schicht (33) und einer dazwischen angeordneten aktiven Zone (33) auf. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist auf einem Träger (2) angeordnet. Eine erste Elektrode (4) ist zur Kontaktierung der n-leitenden Schicht (31) und eine zweite Elektrode (5) zur Kontaktierung der p-leitenden Schicht (33) eingerichtet. Eine elektrische Kontaktstelle (6) zur externen elektrischen Kontaktierung der zweiten Elektrode (5) befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der aktiven Zone (32) und an derselben Seite des Trägers (2) wie die Halbleiterschichtenfolge (3). Die erste Elektrode (4) weist einen flächigen ersten Bereich (41) und mindestens einen inselförmigen zweiten Bereich (42) auf. Der mindestens eine inselförmige zweite Bereich (42) reicht bis in die n-leitende Schicht (31). Die zweite Elektrode (5) umfasst als stromführende Schicht eine Silberschicht (51), die sich zwischen dem flächigen ersten Bereich (41) und der Halbleiterschichtenfolge (3) befindet und die ein Spiegel ist. Ein Quotient aus einer mittleren Dicke der Silberschicht (51) und einer mittleren Kantenlänge der Halbleiterschichtenfolge (3) liegt bei mindestens 2,5 × 10–4 und bei mindestens 80 nm.