发明名称 |
半导体封装基板 |
摘要 |
本发明提供的半导体封装基板具有穿透硅插塞(或通孔)可提供需要热管理的半导体芯片水平与垂直的散热途径。具有高占空比设计的穿透硅插塞能有效增加散热性。当穿透硅插塞采用双面梳图案时,其占空比可高达大于或等于50%。具有高占空比的封装基板可用于产生大量热的半导体芯片。举例来说,半导体芯片可为发光二极管芯片。 |
申请公布号 |
CN102214617B |
申请公布日期 |
2014.05.14 |
申请号 |
CN201110038181.3 |
申请日期 |
2011.02.11 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
余振华;张宏宾;林咏淇;余佳霖;洪瑞斌;黄见翎 |
分类号 |
H01L23/13(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
主分类号 |
H01L23/13(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
张浴月;刘文意 |
主权项 |
一种半导体封装基板,具有多个穿透硅插塞以散逸被封装的一半导体芯片产生的热,包含:一基板,具有该些穿透硅插塞于该半导体封装基板上,其中该些穿透硅插塞自该半导体封装基板的一第一表面延伸至相反侧的一第二表面,其中该些穿透硅插塞的截面形状为双面梳,且其中该些穿透硅插塞提供该半导体芯片多个散热途径。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |