一种针尖型硅纳米线的制备方法

摘要

本发明提供一种针尖型硅纳米线的制备方法，在清洗干净的衬底上沉积5-10nm厚的Au薄膜；将沉积Au膜的衬底转移到PECVD反应腔体里，30min内升温至800℃退火40min；通入40sccm的硅烷，维持反应压力32pa并起辉反应；而后在600-800℃持续反应1h，衬底溅射沉积的Au膜退火后会形成硅金合金液滴，并作为针尖型纳米线生长的催化剂，当气相中的硅源在合金液滴中达到饱和后，硅纳米线会逐渐析出生长，由于合金液滴中金的扩散会导致其体积逐渐缩小，因此，催化生长的纳米线直径沿长度方向减小而成为针尖状，本发明过程简单，便于大面积生长，所制备的针尖型硅纳米线能广泛应用于SERS等领域。

主权项

一种针尖型硅纳米线的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：以硅烷作为反应前驱体，在衬底上的合金液滴催化下采用等离子增强化学气相沉积制备针尖型硅纳米线，所述合金液滴由硅与金属催化剂组成。