一种室温下吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法

摘要

本发明公开了一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区中的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质浓度。相比于现有的硅材料吸杂方法，该方法在室温下进行，因而不仅可用于硅晶片还可用于硅器件吸杂，且该方法不限于单晶或多晶硅片及硅器件，也适用于其它半导体材料（如锗）和相应器件。

主权项

一种吸除硅晶片或硅器件中过渡金属杂质的方法，在室温下对硅晶片或硅器件进行剂量小于5000Gy低剂量电子辐照，使硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质向附近的吸杂缺陷区扩散，从而降低硅晶片待清洁区或硅器件有源区内的过渡金属杂质的浓度；其中，所述硅晶片待清洁区是指在硅晶片表面下深度小于5微米的区域；所述附近的吸杂缺陷区是指与硅晶片待清洁区或硅器件有源区边缘距离小于3微米的吸杂缺陷区。