发明名称 射频功率放大器功率合成电路
摘要 本发明公开了一种射频功率放大器功率合成电路。本发明所述电路中开关器件均可采用普通的CMOS工艺来实现,针对CMOS工艺开关击穿电压较低的缺点,通过合理的处理CMOS开关在功率合成网络中的连接方式,尽可能的降低CMOS开关上的电压摆幅,从而提高整个射频功率合成网络的可靠性;并且在整个功率合成网络中,通过灵活控制开关的导通与关断,实现不同工作模式下匹配网络的组合搭配,解决不同通道间信号泄漏的问题,从而保证射频信号的传输质量,有效提高了整个无线通信系统的性能。本发明还具有集成度高、成本低、开关控制电路简洁等优点。
申请公布号 CN101917167B 申请公布日期 2014.05.14
申请号 CN201010262926.X 申请日期 2010.08.24
申请人 惠州市正源微电子有限公司 发明人 彭凤雄;张旭光
分类号 H03F3/20(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I 主分类号 H03F3/20(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 任海燕
主权项 射频功率放大器功率合成电路,所述电路与天线连接,包括与射频功率放大器两频段信号输出端分别连接的第一匹配网络及第二匹配网络,与两频段信号接收端口分别连接的第一信号耦合电路、第二信号耦合电路,所述第一匹配网络及第二匹配网络通过双工器连接天线电路,其特征在于:所述第一匹配网络包括串接的第一前端匹配网络(1‑1)及第一次级匹配网络(1‑2),所述第二匹配网络包括第二前端匹配网络(2‑1)及第二次级匹配网络(2‑2);所述第一前端匹配网络与接地的开关元件SW1及电感元件L1连接,第一次级匹配网络与双工器连接,所述第二前端匹配网络与接地的开关元件SW5及电感元件L3连接,第二次级匹配网络与双工器连接;所述第一匹配网络的第一次级匹配网络与第一信号耦合电路之间信号传输线通过电感元件L2及与电感元件L2并联的开关元件SW2接地;所述第二匹配网络的第二次级匹配网络与第二信号耦合电路之间信号传输线通过电感元件L4及与电感元件L4并联的开关元件SW6接地。
地址 516005 广东省惠州市云山西路12号德赛大厦十九层