发明名称 RF功率放大器
摘要 本发明实现了减小作为输出阻抗匹配电路的变压器(电压变换器)的初级线圈侧输入阻抗而不减小Q因子。本发明提供一种RF功率放大器,包括晶体管和作为输出匹配电路的变压器。变压器具有相互磁耦合的初级线圈和次级线圈。对晶体管的输入端子提供相应的输入信号。初级线圈被耦合到晶体管的每个输出端子。从次级线圈产生输出信号。变压器的初级线圈包括并联地耦合在晶体管的相应的输出端子之间且每个都磁耦合到次级线圈的第一线圈和第二线圈。通过初级线圈的第一和第二线圈的并联耦合,减小了初级线圈的输入阻抗。
申请公布号 CN101741326B 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN200910222005.8 申请日期 2009.11.13
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 近藤将夫;松永良国;关健太;樱井智
分类号 H03F3/24(2006.01)I;H03F3/26(2006.01)I 主分类号 H03F3/24(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 郭放
主权项 一种RF功率放大器,包括:第一晶体管和第二晶体管,每个都作为推挽功率放大电路的有源器件;和变压器,作为所述推挽功率放大电路的输出匹配电路,其中,同相输入信号和反相输入信号能够被分别提供到所述第一晶体管的输入端子和所述第二晶体管的输入端子,所述变压器具有相互磁耦合的初级线圈和次级线圈,所述变压器的所述初级线圈的一端和另一端分别耦合到所述第一晶体管的输出端子和所述第二晶体管的输出端子,从所述变压器的所述次级线圈的一端和另一端之间能够产生输出信号,所述变压器的所述初级线圈至少包括并联地耦合于所述第一晶体管的所述输出端子和所述第二晶体管的所述输出端子之间的、且每个都磁耦合到所述次级线圈的第一线圈和第二线圈,所述变压器的所述初级线圈和所述次级线圈由相应的环形形状的金属薄膜导线构成,并且每个都扁平地形成于衬底的表面上方,构成变压器的所述初级线圈的所述金属薄膜导线被形成为其宽度大于构成所述变压器的所述次级线圈的所述金属薄膜导线的宽度,构成所述变压器的所述初级线圈的所述金属薄膜导线和构成所述变压器的所述次级线圈的所述金属薄膜导线围绕着相应的所述环形形状形成,并且所述初级线圈和所述次级线圈被设定为预定的匝数比,以使所述变压器能够依照由所述匝数比确定的阻抗变换比来执行输出匹配操作。
地址 日本神奈川